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CYD18S18V18-200BBAXC

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CYD18S18V18-200BBAXC
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit 3.3ns
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer CYD18S18
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 256-FBGA (17x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 2 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$235.25 $230.55 $225.93
Minimale: 1

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