Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
CY7S1061GE30-10BVM
| Hersteller: | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | CY7S1061GE30-10BVM |
| Beschreibung: | 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Active |
| Speicherformat | SRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Auf Lager 92 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $35.98 | $35.26 | $34.56 |
Minimale: 1
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