Image is for reference only , details as Specifications

CY7C1360S-200BGCT

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C1360S-200BGCT
Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit 3ns
Speichergröße 9Mb (256K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 119-BGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer CY7C1360
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 119-PBGA (14x22)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.60 $10.39 $10.18
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IS43LD32640B-25BLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$10.59
7140LA20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$10.58
IS46TR16128CL-125KBLA2
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$10.58
MT40A512M16LY-062E:E
Micron Technology Inc.
$10.57
MT40A1G8SA-062E:E
Micron Technology Inc.
$10.57