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CY7C1354C-200BGC

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C1354C-200BGC
Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie NoBL™
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit 3.2ns
Speichergröße 9Mb (256K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 119-BGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer CY7C1354
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 119-PBGA (14x22)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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