Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

CY7C1312KV18-300BZC

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C1312KV18-300BZC
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Taktfrequenz 300MHz
Basis-Teilenummer CY7C1312
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-FBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 126 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$35.34 $34.63 $33.94
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MT49H16M18SJ-25:B TR
Micron Technology Inc.
$0
MT49H8M36SJ-25:B TR
Micron Technology Inc.
$0
CY14B104NA-ZS45XI
Cypress Semiconductor Corp
$34.52
CY7C1061GE30-10ZXI
Cypress Semiconductor Corp
$34.16
CY7C1312KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
$33.66