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CY7C1312CV18-250BZI

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C1312CV18-250BZI
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Taktfrequenz 250MHz
Basis-Teilenummer CY7C1312
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-FBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 64 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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