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CY6264-55SNXI

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY6264-55SNXI
Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie MoBL®
Verpackung Tube
Technologie SRAM - Asynchronous
Zugriffszeit 55ns
Speichergröße 64Kb (8K x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Basis-Teilenummer CY6264
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 28-SOIC
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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