Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
CY62147GN18-55BVXI
| Hersteller: | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | CY62147GN18-55BVXI |
| Beschreibung: | IC SRAM 4M PARALLEL |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | MoBL® |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 55ns |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Active |
| Speicherformat | SRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 1.65V ~ 2.2V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Auf Lager 89 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.08 | $4.00 | $3.92 |
Minimale: 1
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