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CY14E256L-SZ25XI

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY14E256L-SZ25XI
Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tube
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 25ns
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Basis-Teilenummer CY14*256
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 32-SOIC
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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