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CY14B104NA-BA45XE

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY14B104NA-BA45XE
Beschreibung: IC NVSRAM 4M PARALLEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 45ns
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-TFBGA
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-FBGA (6x10)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$28.78 $28.20 $27.64
Minimale: 1

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