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CY14B104N-BA20XIT

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY14B104N-BA20XIT
Beschreibung: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 20ns
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-TFBGA
Basis-Teilenummer CY14B104
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-FBGA (6x10)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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