Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

CY14B104LA-BA25XIT

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY14B104LA-BA25XIT
Beschreibung: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 25ns
Speichergröße 4Mb (512K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-TFBGA
Basis-Teilenummer CY14B104
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-FBGA (6x10)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$19.40 $19.01 $18.63
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

7133LA20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$19.4
7143LA20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$19.4
CY7C0241-15AXC
Cypress Semiconductor Corp
$19.4
71V67803S166BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$19.31
71V67803S166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
$19.31