CDBGBSC20650-G
Hersteller: | Comchip Technology |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Datenblatt: | CDBGBSC20650-G |
Beschreibung: | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Comchip Technology |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 100µA @ 650V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.7V @ 10A |
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 33A (DC) |
Auf Lager 85 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.40 | $7.25 | $7.11 |
Minimale: 1