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CDBGBSC201200-G
| Hersteller: | Comchip Technology |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Datenblatt: | CDBGBSC201200-G |
| Beschreibung: | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Comchip Technology |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 100µA @ 1200V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.8V @ 10A |
| Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 25.9A (DC) |
Auf Lager 78 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $17.98 | $17.62 | $17.27 |
Minimale: 1
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