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CXDM6053N TR

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CXDM6053N TR
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-89
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 920pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 26 pcs

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