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CWDM3011P TR13

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CWDM3011P TR13
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 80nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3100pF @ 8V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2495 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.93 $0.91 $0.89
Minimale: 1

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