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CDM22010-650 SL

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CDM22010-650 SL
Beschreibung: MOSFET N-CH 10A 650V TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta), 156W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1168pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 629 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.11 $2.07 $2.03
Minimale: 1

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