Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
2N5367
| Hersteller: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | 2N5367 |
| Beschreibung: | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 625mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Transistortyp | PNP |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92 |
| Vce Sättigung (Max.) | 1V @ 30mA, 300mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 300mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 50mA, 1V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 40V |
Auf Lager 96 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.35 | $0.34 | $0.34 |
Minimale: 1
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