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2N4250A

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N4250A
Beschreibung: TRANSISTOR PNP TO-106
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-106-3 Domed
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-106
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 250 @ 100µA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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