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2N4123

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N4123
Beschreibung: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.5W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 2mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.14 $0.14 $0.13
Minimale: 1

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