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NESG2107M33-T3-A

Hersteller: CEL
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: NESG2107M33-T3-A
Beschreibung: RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller CEL
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 7dB ~ 10dB
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 130mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer NESG2107
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 10GHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-SuperMiniMold (M33)
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 140 @ 5mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 5V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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