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NESG2030M04-T2-A

Hersteller: CEL
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: NESG2030M04-T2-A
Beschreibung: RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller CEL
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 16dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 80mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer NESG2030
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 60GHz
Lieferanten-Gerätepaket M04
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 35mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 5mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 2.3V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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