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NE851M33-A

Hersteller: CEL
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: NE851M33-A
Beschreibung: RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller CEL
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 130mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer NE851
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 4.5GHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-SuperMiniMold (M33)
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 5mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 5.5V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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