Image is for reference only , details as Specifications
ALD212908ASAL
| Hersteller: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | ALD212908ASAL |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80mA |
Auf Lager 99 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.00 | $4.90 | $4.80 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
