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ALD212900APAL
| Hersteller: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | ALD212900APAL |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 14Ohm |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 30pF @ 5V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80mA |
Auf Lager 21 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.96 | $5.84 | $5.72 |
Minimale: 1
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