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ALD210808PCL

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: ALD210808PCL
Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Advanced Linear Devices, Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie EPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair
Verpackung Tube
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Lieferanten-Gerätepaket 16-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max.) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80mA

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.12 $4.04 $3.96
Minimale: 1

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