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ALD114835PCL

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: ALD114835PCL
Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Advanced Linear Devices, Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie EPAD®
FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair
Verpackung Tube
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 540Ohm @ 0V
Lieferanten-Gerätepaket 16-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max.) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2.5pF @ 5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12mA, 3mA

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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