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ALD111933PAL
| Hersteller: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | ALD111933PAL |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | EPAD® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 500Ohm @ 5.9V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2.5pF @ 5V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Auf Lager 89 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.69 | $3.62 | $3.54 |
Minimale: 1
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