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BC337-40 B1G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BC337-40 B1G
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 250A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 625mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92
Vce Sättigung (Max.) 700mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 800mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 250 @ 100mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 45V

Auf Lager 83 pcs

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