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NAND512R3A2AZA6E

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: NAND512R3A2AZA6E
Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND
Zugriffszeit 60ns
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 55-TFBGA
Basis-Teilenummer NAND512
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 55-VFBGA (8x10)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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