RJK0601DPN-E0#T2
Hersteller: | Renesas Electronics America |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RJK0601DPN-E0#T2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 110A TO220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.1mOhm @ 55A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 200W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 141nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 10000pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 110A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 82 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1