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RJK0601DPN-E0#T2

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK0601DPN-E0#T2
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 110A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.1mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (Max.) 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 141nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10000pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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