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FDMS86101E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDMS86101E
Beschreibung: FET 100V 8.0 MOHM PQFN56
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 55nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3000pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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