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PHD18NQ10T,118
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | PHD18NQ10T,118 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 79W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 21nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 633pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 81 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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