Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPP052N08N5AKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP052N08N5AKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 66µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 53nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3770pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 148 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.22 $2.18 $2.13
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFI9520GPBF
Vishay / Siliconix
$2.22
IRFI634GPBF
Vishay / Siliconix
$2.22
FQP6N90C
ON Semiconductor
$2.21
TSM15N50CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.16
IPP114N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
$2.11