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BFP740FESDH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFP740FESDH6327XTSA1
Beschreibung: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 9dB ~ 31dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 160mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 47GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-TSFP
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 45mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 160 @ 25mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 4.7V

Auf Lager 8138 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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